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Nb掺杂ZnO压敏电阻器的缺陷模型

A Defecg Model of ZnO Varistor with Nb Dopant

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【作者】 李慧峰； 许毓春； 王士良； 王礼琼；

【Author】 Li Huifeng; Xu Yuchun;Wang Shiliang;Wang Liqiong(Department of Solid Electronics,Huazhong Uhiversity of Science and Technology,430074,Wuhan)

【机构】 华中理工大学固体电子学系；

【摘要】 对Ｚｎｏ压敏电阻器高价Ｎｂ掺杂的缺陷模型进行了分析，据此模型对ＺｎＯ压敏电阻器的性进行了讨论。

【Abstract】 defect model of ZnO Varistor with Nb2O5 dopant has been proposed.Based on this model;we discussed the electrical characteristics of ZnO varistor.

【关键词】 ZnO压敏电阻器； 缺陷模型；
【Key words】 ZnO varistor； defect model；
  • 【文献出处】 压电与声光 ,PIEZOELECTRICS & ACOUSTOOPTICS , 编辑部邮箱 ,1995年02期
  • 【分类号】TM540.1
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