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相移掩模对曝光图形空间像光强分布影响的计算机模拟

COMPUTER SIMULATION OF EFFECTS OF PHASE-SHIFT MASK ON AERIAL IMAGE INTENSITY PROFILE OF PHOTOLITHOGRAPHIC PATTERN

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【作者】 沈锋； 冯伯儒； 孙国良；

【Author】 Sken Feng; Feng Boru; Sun Guoliang(State Key Labomtory of Optical Technologies for Microfabrication,Institute of Optics and Electronics,Chinese Academy of Sciences,Chengdu 610209)

【机构】 中科院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室；

【摘要】 本文讨论了提高曝光分辨率的一种主要方法：相移掩模方法。分析了相移掩模提高分辨率的原理，提出了相移掩模成像的模拟思想，推导了数学公式，并实现了计算机模拟，给出了一些初步结果。

【Abstract】 In the paper described are principles of improving resolution by use of phaSe-shift mask(PSM),PSMsimulation ideas,matl1ematics and Some initial iesults given by computer simulation.

【关键词】 相移掩模； 光刻分辨率； 计算机模拟；
【Key words】 phase-shift mask； computer simulation； photolithographic resolution；
【基金】 国家自然科学基金
  • 【文献出处】 微细加工技术 ,MICROFABRICATION TECHNOLOGY , 编辑部邮箱 ,1995年01期
  • 【分类号】TN470.598
  • 【被引频次】8
  • 【下载频次】55
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