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金属-绝缘体-半导体器件红外探测机理研究

INFRARED DETECTION MECHANISM OF THE MIS DEVICE

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【Author】 LIu KUN CHU JUN-HAO CHEN SHI-WEI ZHAO JUN TANG DING-YUAN(National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Academia Sinica, Shanghai 200083)

【机构】中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室；中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083；上海200083；

【摘要】建立金属-绝缘体-半导体器件反型层子能带结构的势理论模型,并由此模型研究了金属-绝缘体-半导体器件红外探测器的工作机理及制作的关键.更多还原

【Abstract】 A potential model for the subband structure in the inversion layer of a MIS diode has been developed. Based on this model, the infrared detection mechanism of the MIS device is studied.更多还原

【关键词】半导体器件；红外探测；反型层；理论模型；表面势；窄禁带半导体；阈值电压；子带；探测率；电容特性；

【文献出处】物理学报 ,Acta Physica Sinica , 编辑部邮箱 ,1995年07期

【分类号】TN219
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