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EEPROM存贮单元的版图设计

Pattern Design of Memory Cells in EEPROM Circuits

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【作者】 邵丙铣郑源伟鲍慧君

【Author】 Shao Bingxian;Zheng Yuanwei; and Bao Huijun(Fudan University,Shanghai 200433)

【机构】 复旦大学

【摘要】 本文阐述了浮栅EEPROM存贮单元的工作原理及图形设计的方法考虑。比较和分析了四种不同的单元图形的利弊得失以及EEPROM中低掺杂漏区(LDD)结构的图形与工艺技术。

【Abstract】 The principle of memory cells in a FLOTOX-EEPROM is described in the paper. Techniques to design patterns of the memory cell are introduced. The advantages and disadvan-tages of four different cell patterns are compared and analyzed. The structure of low draln doping for EEPROM’s is also discussed as well as the technique for LDD.

【关键词】 EEPROM数字IC存储器
【Key words】 EPROMMemoryDigital IC
【基金】 国家微电子材料与元器件微分析中心资助
  • 【分类号】TP333.8
  • 【被引频次】3
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