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多孔硅的双峰光致发光谱与光发射机制

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【机构】北京大学物理系；复旦大学应用表面物理国家重点实验室；北京大学化学系光电智能材料研究室；北京大学化学系光电智能材料研究室北京100871；上海200433；北京100871；北京100871；

【摘要】 <正>多孔硅的光致发光谱是多孔硅研究的极其重要的一个方面,除了早已广泛研究的单峰光致发光谱外,近来有人报道新制备的或经干氧处理的多孔硅在低温下明显存在多峰光致发光谱,本文将报道室温下在后处理多孔硅中观察到的双峰光致发光谱,并讨论后处理条件对光谱特征的影响,这种讨论对多孔硅可见光发射机制的探索提供了十分有价值的启示.多孔硅样品用电化学阳极氧化方法制备.样品衬底是P~-(100)单晶硅片,电阻率为更多还原

【关键词】多孔硅；光致发光谱；光发射机制；

【基金】国家自然科学基金资助项目

【文献出处】科学通报 ,Chinese Science Bulletin , 编辑部邮箱 ,1995年18期

【分类号】O472.3
【被引频次】2
【下载频次】77

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