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氢化非晶硅(a-Si:H)光电导研究中的新现象

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【机构】南京大学物理系固体微结构物理实验室；南京大学物理系固体微结构物理实验室南京210008南京邮电学院物理教研室；南京210003；南京210008；南京210008；

【摘要】 <正>本文研究衬底温度(T_s)从室温至623K生长的氢化非晶硅的光电导的温度依赖关系.首次发现了出现光电导的热淬灭(TQ)的温度区随a-Si:H的T_s的降低系统地移向较低温度区.光电导特性是衡量非晶态半导体的一个重要参数,因为它不仅涉及到载流子的激发、俘获、复合等过程,而且与载流子的输运特性紧密联系.一些研究小组在研究结论中指出a-Si:H薄膜的光电导对于其生长参数很敏感,如掺杂浓度、生长中的射频功率等.但尚未见系统更多还原

【关键词】氢化非晶硅；光电导；热淬灭；

【基金】国家自然科学基金资助项目

【文献出处】科学通报 ,Chinese Science Bulletin , 编辑部邮箱 ,1995年16期

【分类号】TN304
【下载频次】101

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