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立方氮化硼薄膜的织构生长

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【摘要】 <正>立方氮化硼(C-BN)除了具有一系列类似于金刚石的优异的物理化学性质,如高硬度(仅次于金刚石),宽带隙(E_g≈6.6eV),高的电阻率和高的热导率外,还具有一些优于金刚石的性质,如比金刚石高的热稳定性和化学稳定性,容易实现p型和n型掺杂(而金刚石的n型掺杂国际上至今尚未实现),与Si,GaAs更接近的热膨胀系数.因此,C-BN在力学、光学、热学、电子学等方面有着极其广泛的应用前景.其中最为诱人的前景是在电子学方面,首先作为一种易于p型,n型掺杂的宽带隙半导体材料,它可以应用于高温、高频、大功率、抗辐射电子器

【关键词】 立方氮化硼薄膜材料织构生长
【基金】 国家自然科学基金
  • 【文献出处】 科学通报 ,Chinese Science Bulletin , 编辑部邮箱 ,1995年06期
  • 【分类号】O484.1
  • 【被引频次】14
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