节点文献

Monte Carlo方法模拟低能电子在Al中的散射

MONTE CARLO SIMULATION OF LOW ENERGY ELECTRON SCATTERING IN ALUMINUM TARGET

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具,请取消加速工具后下载。

【作者】 谭震宇何延才

【Author】 Tan Zhenyu (Electric Power Dept. Shandong Polytechnic University, Jinan 250014 ) He Yancai (Shanghai Insititude of Ceramics, Academia Sinica, Shanghai 200050 )

【机构】 山东工业大学电力系!济南250014中国科学院上海硅盐酸研究所!上海200050

【摘要】 基于文献[1]的工作,电子在固体中的弹性散射用Mott微分截面计算;非弹性散射分为单电子激发和等离子激发并由 Streitwolf、 Gryzinski及Quinn的截面描述.模拟了低能电子在Al块样及薄膜中的散射过程,对不同能量低能电子作用下Al的背散射系统、能谱又透射系数作了计算,结果与实验符合较好.也对背散射电子、低能损背散射电子表面分布作了计算,结果表明低能损背散射电子具有较好的空间分辨率.

【Abstract】 Based on the privious paper (1)and using the Mott cross-section by solving relativistic Dirac equation for elastic scattering, Monte Carlo simulation of low energy electron scattering in Al bulk target and film have been performed. The calculated backscattering coefficients, the energy distribution of backscattered electrons and electron transmission coefficients are in good agreement with experimental results. The spatial distribution of low-loss backscattered electrons is also calculated and exhibits a high resolution.

  • 【文献出处】 计算物理 ,Chinese Journal of Computation Physics , 编辑部邮箱 ,1995年02期
  • 【分类号】O562.5
  • 【被引频次】2
  • 【下载频次】102
节点文献中: 

本文链接的文献网络图示:

本文的引文网络