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大直径低位错密度InSb单晶研制

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【作者】 叶真吉； 陶世端； 李忠良；

【机构】 昆明物理研究所；

【摘要】 大直径低位错密度ＩｎＳｂ单晶研制叶真吉，陶世端，李忠良（昆明物理研究所昆明６５０２２３）本文介绍了采用国产低熔点化合物单晶炉，首次成功生长大直径低位错密度ＩｎＳｂ单晶。单晶参数为：尺寸：３５～４２ｍｍ晶体生长方向：＜１１１＞、＜２１１＞、＜１００＞杂...

【关键词】 位错密度； 单晶炉； InSb； 晶体生长； 李忠良； 物理研究所； 生长晶体； 半峰宽； 杂质浓度； 衍射光；
  • 【分类号】TN304.6
  • 【被引频次】1
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