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超薄型外延硅dE/dX探测器及其在核实验中的应用

Development of Superthin Epitaxial Silicon Detectors

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【作者】 王柱生晁致远许金兰

【Author】 Wang Zhusheng; Chao Zhiyuan; Xu Jinlan(Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences, Lanzhou 730000)

【机构】 中国科学院近代物理研究所

【摘要】 本文介绍了厚度为5.2、6、7和10μm,有效面积为28~154mm2的超薄型外延硅dE/dX探测器(对于8.78MeVa粒子的能损ΔK的分辨为48~76keV)及其研制工艺、主要用途、测试结果及在核物理实验中的应用.

【Abstract】 The epitaxial st-dE/dX surface barrier detectors with an active area of 28~154mm2 and thickness of 5. 2~10μm have been developed. This kind of detector can be used for measuring α-particle, proton with low energy and for distinguishing particles, 0. 78MeV 20Na β-delayed low energy α-decay.

【关键词】 外延硅氧化能量分辨
【Key words】 epitaxial siliconoxidizeenergy resolution.
  • 【文献出处】 核物理动态 ,Nuclear Physics Review , 编辑部邮箱 ,1995年03期
  • 【分类号】O572.212
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