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微型薄膜磁阻传感元件在磁化和反磁化过程中的磁畴结构研究

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【作者】 余晋岳； 周勇； 宋柏泉； 徐东；

【机构】 上海交通大学信息存储研究中心；

【摘要】 微型薄膜磁阻传感元件在磁化和反磁化过程中的磁畴结构研究余晋岳，周勇，宋柏泉，徐东（上海交通大学信息存储研究中心）摘要：应用Ｂｉｔｔｅｒ粉纹技术观察和分析了微型磁阻传感元件在磁化和反磁化中磁畴结构变化的全过程，研究表明和元件中的Ｂａｒｋｈａｕｓｅｎ跳跃...

【关键词】 应用Bitter粉纹技术观察和分析了微型磁阻传感元件在磁化和反磁化中磁畴结构变化的全过程； 研究表明和元件中的Barkhausen跳跃密切相关的是反磁化非一致转动过程中发生的防壁合并和畴壁极性转变这两个不可逆因素．观察到传感器在和引线联结处的钩状畴也参与了这种不可逆转变； ?；
  • 【文献出处】 磁性材料及器件 ,JOURNAL OF MAGNETIC MATERIALS AND DEUICES , 编辑部邮箱 ,1995年01期
  • 【分类号】TP212.02
  • 【被引频次】1
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