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MOCVD　GaInP材料本底浓度及其掺Zn时组分的控制

Control of Background Concentration in GaInP and Composition in Zn-Doped GaInP Grown by MOCVD

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【作者】 余庆选； 彭瑞伍； 励翠云；

【Author】 Yu Qingxuan;Peng Ruiwu and Li Cuiyun(Shanghai Institute of Metallurgy, The Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050)Received 2 May 1993, revised manuscript received 5 December 1993

【机构】 中国科学院上海冶金研究所；

【摘要】 本文用ＭＯＣＶＤ法研究了ＧａＩｎＰ及其掺Ｚｎ材料的生长和特性，并进行了生长速率对生长动力学、Ｚｎ的掺杂效率、Ｉｎ的组分、表面形貌、电学性质的影响研究．

【Abstract】 Abstract The growth and characerization of undoped GaInP and Zn-doped GaInP are described, and the influence of growth rate on grwoth kinetics, Zn incorporation efficrency,In composition, surface morphology and electrical properties of Zn-doped GaInP grown by MOCVD are also presented.

【关键词】 MOCVD； GaInP； Zn； 空穴浓度； 生长动力学； 外延层； 电学性质； 生长速率； 金属有机源； 表面形貌；
  • 【文献出处】 半导体学报 ,CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS , 编辑部邮箱 ,1995年01期
  • 【分类号】TN305.2
  • 【被引频次】2
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