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1000V／20A　IGBT的研制

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【作者】 卓伟； 刘光廷； 张国忠；

【机构】 东南大学微电子中心；

【摘要】 介绍了ＩＧＢＴ的结构设计及终端设计，利用ＳＤＢ技术制备所需ＮＮ￣＋Ｐ￣－基片，设计了合适的工艺流程，制备出１０００Ｖ／２０Ａ的ＩＧＢＴ器件。最后给出测试结果。

【关键词】 IGBT； SDB； 终端技术； 设计； 测试；
  • 【文献出处】 半导体技术 ,SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY , 编辑部邮箱 ,1995年03期
  • 【分类号】TN31
  • 【被引频次】3
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