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直接写入电子束光刻中的辐照损伤
【摘要】 对电子束曝光时间和束流改变引起ＭＯＳ器件阈值电压有效迁移率的变化以及辐照损伤的消除作了研究，并对辐照损伤及退火的机理进行了探讨。
- 【文献出处】 半导体技术 ,SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY , 编辑部邮箱 ,1995年02期
- 【分类号】TN305.7
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【摘要】 对电子束曝光时间和束流改变引起ＭＯＳ器件阈值电压有效迁移率的变化以及辐照损伤的消除作了研究，并对辐照损伤及退火的机理进行了探讨。