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Gap－LPE掺S浓度的控制及对发光效率的影响

Control of concentration of S doped in GaP-LPE and its effect on the luminescence efficiency

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【Author】 GAN Runjin;WANG Deming;ZHANG Fujia (Dept. of Physics,Lanzhou University, Lanzhou 730000)

【摘要】报道了具有双ｎ型结构的ＧａＰ绿色发光二极管在汽相掺杂、液相外延过程中，对硫（Ｓ）掺杂浓度的控制和监测方法，并研究了掺Ｓ浓度对发光效率的影响。更多还原

【Abstract】 A method to control and monitor the concentration of S doped in GaP green LED with double n-type construction in the gas phase doping during the LPE process is reported.And the effect of the concentration on luminescent efficiency is studied.更多还原

【关键词】光电器件；半导体工艺；特性测试；发光效率； GaP；液相外延；
【Key words】 Photoelectronic Devices； Semiconductor Technology； Characteristics Measurement； Luminescence Efficiency； GaP； LPE；

【基金】甘肃省自然科学基金

【文献出处】半导体光电 ,SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS , 编辑部邮箱 ,1995年04期

【分类号】TN301
【下载频次】33

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