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AlAs／GaAs双势垒量子共振隧穿二极管

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【作者】 陈培杖； 李祖华； 徐菊仙； 安；

【机构】 南京电子器件研究所；

【摘要】 以ＭｏｃｖＤ材料试制了ＡｌＡｓ／ＧａＡｓ双势垒量子共振隧穿二极管，其室温伏安特性为非线性。讨论了材料质量、器件结构、制作工艺等对器件性能的影响。首次报道了有ＡＶ＿（０．１４）Ｇａ＿（０．８６）Ａｓ垫的双势垒结构器件性能，有垫器件性能较无垫常规器件改进很大。

【关键词】 共振隧穿二极管； AlAs； 器件性能； 势垒层； 伏安特性； 电流比； 肖特基势垒； 欧姆接触； 量子阱； 异质结构；
  • 【文献出处】 稀有金属 ,CHINESE JOURNAL OF RARE METALS , 编辑部邮箱 ,1994年04期
  • 【分类号】TN312
  • 【被引频次】4
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