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MOCVD法生长Ⅲ－Ⅴ族化合物材料近红外光致发光的测量
【摘要】 本文利用近红外光致发光技术测量了ＭＯＣＶＤ生长的Ⅲ－Ⅴ族化合物Ｇａ＿（０．５）Ｉｎ＿（０．５）和ＩｎＰ中的深能级发光，研究了这些深能级发光对激发强度和温度的依赖关系；讨论了Ｇａ＿（０．５）Ｉｎ＿（０．５）Ｐ外延层深能级发光的辐射机理和来源，得出了ＩｎＰ外延层的Ｃ带发光的热激活能。
【基金】 中国科学院长春物理研究所激发态物理开放实验室基金
- 【文献出处】 稀有金属 ,CHINESE JOURNAL OF RARE METALS , 编辑部邮箱 ,1994年03期
- 【分类号】TN304.23
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