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LPEGaAs／Ga1－XA1xAs多层光阴极材料均匀性研究

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【作者】 励翠云； 彭瑞伍； 王洁； 徐晨梅；

【机构】 中国科学院上海冶金研究所；

【摘要】 用ＬＰＥ法生长了表面光亮、性质均匀的Ｐ－Ｇａ＿（１－ｘ）Ａ１＿ｘＡｓ／ｐ－ＧａＡｓ／ｐ一Ｇａ＿（１－ｘ）Ａ１＿ｘＡｓ／ｎ－ＧａＡｓ（衬底）多层异质材料；研究了材料的电学性质、掺杂剂分配，探讨了外延层的厚度均匀性、组份均匀性并观察了表面形貌。结果表明上述材料可用于制备第三代光阴极。

【关键词】 LPEGaAs； 均匀性； A1_xAs； 光阴极； 掺杂剂； 外延层； 第三代； 电学性质； 扩散长度； 表面形貌；
  • 【文献出处】 稀有金属 ,CHINESE JOURNAL OF RARE METALS , 编辑部邮箱 ,1994年02期
  • 【分类号】TG146.431
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