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硅衬底上异质外延GaAs

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【作者】 余怀之；

【机构】 北京有色金属研究总院；

【摘要】 综述了ＧａＡｓ／Ｓｉ异质外延材料的性能及应用前景，分析了进一步提高材料质量所面临的问题，重点介绍了降低外延层缺陷方面的研究进展。

【关键词】 异质外延； 硅衬底； 外延层； 反相畴； 位错密度； 应变层； 晶格匹配； 外延生长； 失配位错； 晶格常数；
  • 【文献出处】 稀有金属 ,CHINESE JOURNAL OF RARE METALS , 编辑部邮箱 ,1994年01期
  • 【分类号】TN304.23
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