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射频反应溅射SiO2薄膜的研究

The Study of RF Reactive Sputtering SiO2 Film

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【作者】 张旭苹； 陈国平；

【Author】 Zhang Xuping;Chen Guoping (Dep. of Electron Engin., Southeast Unly., Naming 210018)

【机构】 东南大学电子工程系；

【摘要】 研究反应气体（Ｏ２）含量及基片温度对射频反应溅射ＳｉＯ２膜光学性能及沉积速率的影响，并给出了膜层俄歇能谱分析结果。

【Abstract】 The influence of reactive gas (O2) content and substrate temperature on the RF reactive sputtering deposited rate and optical characteristics for the SiO2 film was studied. And Angel Electron Spectroscopy analyzed result for the film layer were showed.

【关键词】 射频反应溅射； SiO2薄膜； 俄歇能谱；
【Key words】 RF reactive sputtering； SiO2 film； Auger spectroscopy；
  • 【文献出处】 真空电子技术 ,VACUUM ELECTRONICS , 编辑部邮箱 ,1994年03期
  • 【分类号】TB715
  • 【被引频次】13
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