【摘要】 对三种不同晶面（（１００），（１１０）和（１１１））的超晶格（ＡｌＡｓ）＿１（ＧａＡｓ）＿１，（ＡｌＡｓ）＿３（ＧａＡｓ）＿３的电子结构进行了第一性原理的计算，采用冻结势万法系统地分析了在不同的晶向和不同的周期层厚度的情况下，超晶格界面处的电荷转移、平均键能的对齐行为和价带边的不连续性。进一步从第一性原理的数值计算上检验了以平均键能为能量参考的异质界面价带边不连续性的理论计算方法。更多还原

【Abstract】 he electronic structures of the three lattice-orientation（i.e.,（110）,（100）and（111））superlattices（AlAs）₁（GaAs）₁,（AlAs）₃（GaAs）₃ are studied with the lineari-zed-muffin-Tin-orbitals band-structure method. The frozen shape approach is ado-pted to investigate the charge transfer across the interfaces,the alignment of aver-agebond-energy（ABE）and the valence-band offsets（VBO）under the conditions ofdifferent latticeorientations and different thickness of superlattice slab.The ABEmethod for determining the VBO’s,in which the ABE is regarded as a energyreference,is further comprehensively tested numerically.更多还原