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4
+O
2
混合气体在Si
3
N
4
腐蚀中的应用
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【作者】
江鸿
;
吕军
;
【机构】
中国华晶电子集团公司中央研究所!无锡
;
214035
;
【关键词】
蚀中
;
CF
4
+O
2
;
Si
3
N
4
;
混合气体
;
等平面工艺
;
光刻胶
;
均匀性
;
有源区
;
速率上升
;
射频功率
;
【文献出处】
微电子技术
,
Microelectronic Technology
,
编辑部邮箱
,
1994年01期
【分类号】TN305
【下载频次】29
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