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EBV法制备Znln2S4薄膜的性质研究
FABRICATION AND PROPERTY OF Znln2S4 THIN FILMS BY EBV METHOD
【摘要】 用电子束加热真空蒸发法（ＥＢＶ法）制备了厚度为３５０ｎｍ的ＺｎＩｎ２Ｓ４薄膜。研究了最佳成膜工艺条件和最新电子能谱分析结果；通过不同气氛处理可以控制材料的导电类型，典型膜的电阻率为２．５×１０－１Ω·ｃｍ，Ｈａｌｌ迁移率为５２ｃｍ２·Ｖ－１·ｓ－１，载流子浓度为１．４２×１０１７ｃｍ－３，禁带宽度为２．１３ｅＶ。探讨了ＺｎＩｎ２Ｓ４膜的导电机理，并制作了ＺｎＩｎ２Ｓ４－Ｓｉ太阳电池。
【Abstract】 he ZuIu2S4 thin films were prepared by EBV method.The composition,structure and state of the films were investigated by XPS.The optical and electrical properties of ZuIn2S4 films were discussed.It was shown that ρ=2.5 × 10-1 Ω·cm,μH=52 cm2·V-1·s-1,N=1.42×1017cm-3,Eg = 2.13eV.The heierjunction solar cell ZnIn2S4/Si was successfully fabricated first.
【关键词】 电子束蒸发法；
ZnIn2S4薄膜；
电子能谱；
Znln2S4－Si电池；
【Key words】 electron beam； ZnIn2S4 thin films； photoelectron spectroscopy； ZnIn2S4/Si solar cells；
【Key words】 electron beam； ZnIn2S4 thin films； photoelectron spectroscopy； ZnIn2S4/Si solar cells；
- 【文献出处】 太阳能学报 ,ACTA ENERGIAE SOLARIS SINICA , 编辑部邮箱 ,1994年02期
- 【分类号】O484.4
- 【被引频次】1
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