节点文献
Yb~+注入Si(100)所引起的晶格损伤和快速热退火后Yb的再分布及光激活规律研究
【摘要】 <正>稀土元素不完全充满的4f电子壳层被它外部的5p和6s电子壳层有效地屏蔽.这一独特的电子结构使得稀土掺杂半导体材料中4f电子-声子耦合被减弱,因而稀土的发光具有锐利,热稳定性好等优点.近几年国际上已有很多关于用离子注入技术实现稀土掺杂的报道.离子注入具有掺杂浓度高,掺杂分布易于控制,可重复性好和操作简便等优点.但在
【基金】 山东省教委和北京中关村地区联合分析测试基金资助课题
- 【文献出处】 科学通报 ,Chinese Science Bulletin , 编辑部邮箱 ,1994年18期
- 【分类号】TG111
- 【下载频次】29