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高-低温溶液晶体生长溶质边界层的全息研究
【摘要】 用全息相衬干涉显微术研究了高温溶液生长KTP晶体和低温溶液生长KDP晶体的溶质边界层。实验表明,无论是在高温溶液还是在低温溶液中生长晶体,边界层内的质量输运过程是对流和扩散两种作用的耦合效应。体过饱和度对边界层厚度的影响按过饱和度的高低可分为两个区域。层内溶质浓度分布是位置的指数函数。
【基金】 国家自然科学基金
- 【文献出处】 中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学) ,Science in China,Ser.A , 编辑部邮箱 ,1994年12期
- 【分类号】O782.1
- 【被引频次】12
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