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低通量慢中子辐照对高T_c超导体临界温度的影响及其机理探讨

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【作者】金继荣；金新；韩永胜；吉和林；史可信；陈武鸣；朱玉振；姚希贤；王弘；王卓；

【机构】南京大学物理系固体微结构实验室；山东大学晶体材料研究所；山东大学晶体材料研究所南京210008；南京210008；济南250100；济南250100；

【摘要】本文研究了低通量(～10~8n/cm~2)慢中子对Bi系、Y系及其掺杂高T_c超导体临界温度T_c的影响。实验结果表明,在适量慢中子辐照后,可以明显地提高临界温度并减小超导转变宽度△T(10%—90%)。此外,本文还探讨了在适量慢中子辐照后,高T_c超导体临界温度增加和转变宽度减小的物理机理。更多还原

【关键词】高T_c超导体；临界温度；超导转变宽度；慢中子辐照；辐照缺陷；

【基金】国家超导联合研究开发中心和国家教委博士点基金资助项目

【文献出处】中国科学(A辑数学物理学天文学技术科学) ,Science in China,Ser.A , 编辑部邮箱 ,1994年02期

【分类号】O511.4
【下载频次】36

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