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砷化镓探测器的灵敏度研究

Studies on the GaAS Photoconductor Sensitivity

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【作者】 杨洪琼杨建伦王慧芳

【Author】 Yang Hongqiong ;Yang Jianlun ;Wang Huifang (Southwest Institute of Nuclear Physics&Chemistry,P.O. Box 525(73),Chengdu, 6l0003)

【机构】 中国工程物理研究院西南核物理与化学研究所

【摘要】 本文介绍了中子辐照损伤的砷化镓光电导探测器对强流γ脉冲辐射的响应。给出了掺铬砷化馆和本征砷化镓探测器的灵敏度随中子辐照损伤注量的变化规律及随着施加偏压的变化关系。

【Abstract】 In this paper,we have introduced the response of neutron-damaged GaAs photoconductorto the strong gamma pulsedradiation, given the regularity of sensitivity of Cr-doped GaAs andundoped GaAs changing with the neutron flux and the bias voltage.(

【基金】 中国工程物理研究院科学基金
  • 【文献出处】 核电子学与探测技术 ,NUCLEAR ELECTRONICS & DETECTION TECHNOLOGY , 编辑部邮箱 ,1994年04期
  • 【分类号】TL814
  • 【被引频次】3
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