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PECVDSi3N4／InP界面特性的研究

RESEARCH ON THE PROPERTIES OF PECVD Si3N4/InP INTERFACE

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【作者】 李相民； 王存让； 程军； 侯洵； 刘英；

【Author】 Li Xiangmin; Wang Cunrang; Cheng Jun; Hou Xun; Liu Ying Laboratory of. Semiconductor Optronic devices. Xi’an Institute of Optics and precision Mechanics Academia Sinica. XJ’an 710068China

【机构】 中国科学院西安光学精密机械研究所；

【摘要】 本文利用Ａｕｇｅｒ分析技术和Ｃ－Ｖ测量方法，详细地研究了ＰＥＣＶＤＳｉ３Ｎ４／ＩｎＰ界面特性，Ａｕｇｅｒ能谱分析表明热处理使界面面发生互扩散，同时ＩｎＰ的热分解导致Ｐ元素穿过Ｓｉ３Ｎ４薄膜到达表面。Ｃ－Ｖ测量表明Ａｇ／Ｓｉ３Ｎ４／ＩｎＰＭＩＳ结构可以实现载流子的堆积、耗尽和反型。

【Abstract】 The properties of PECVD Si3 N4/InPinterface were studied usingAugerElectron Spectrum and C-Vmeasurements. As shows that inter-diffusion at Si3 N4/InPinterface is caused after heat-treatment and element is found on the surface offilm.C-Vcurve of Ag/Si3N4 /InP MIS structure shows accumulation. depletion and in-versionregions.

【关键词】 AES； PECVD； Si3N4； 界面；
【Key words】 AES； PECVD:Si3N4:intefece；
  • 【文献出处】 光子学报 ,ACTA PHOTONICA SINECA , 编辑部邮箱 ,1994年02期
  • 【分类号】O484.8
  • 【被引频次】1
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