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G_aP-LPE过程中掺N浓度的测定及N浓度对发光效率的影响

DETERMINATION OF NITROGEN DOPING CONCENTRATION IN G_aP─LPE AND THE EFFECT OF NITROGEN ON LIGHT EMITTING EFFICIENCY

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【作者】 李宝军

【Author】 Li Baojun(Department of Physics, Gansu Education College,Lanzhou,730000,China)

【机构】 甘肃教育学院物理系

【摘要】 本文叙述了G_aP单晶衬底在液相外延过程中掺N浓度的测定方法;并研究了在1040℃起始外延温度下,不同的掺N浓度对材料发光效率的影响。

【Abstract】 In this paper,a determination method of nitrogen doping concentration in liquid phase epi-taxy of G_aP single crystal substrate is reported,and the effect of different nitrogen doping con-centrations on the light emitting efficiency is also studied at the initial epitaxy temperature of1040℃

  • 【文献出处】 甘肃科学学报 ,JOURNAL OF GANSU SCIENCES , 编辑部邮箱 ,1994年03期
  • 【分类号】O657.3
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