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GaAs／GaAlAs低阈值垂直腔面发射激光器

GaAs/GaAlAs Vertical Cavity Surface Emitting Lasers with Low Threshold Current

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【作者】 林世鸣； 吴荣汉； 黄永箴； 潘钟； 高洪海； 王启明； 段海龙； 高文智； 罗丽萍； 王立轩；

【Author】 Lin Shiming;Wu Ronghan;Huang Yongzhen;Pan Zhong;Gao Honghai;Wang Qiming;Duan Hailong;Gao Wenzhi;Luo Liping;Wang Lixuan(State Key Lab.of Integrated Optoelectronics, Institute of Semicon,Academia Sinica, Beijins 100083)

【机构】 中国科学院半导体所集成光电子学国家重点实验室；

【摘要】 通过对增益波导型ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ垂直腔面发射激光器的材料生长和工艺制作的研究，实现了在室温下的脉冲激射。其激射阈值电流低达１０ｍＡ，输出光功率不低于０．３ｍｗ，有的可达０．７ｍｗ以上，器件单横模、单纵模工作，线宽小于４人。

【Abstract】 By the study of material growth and device processing,the GaAs/GaAlAs vertical cavity sur faceemitting laser has been fabricated.It’s lowest threshold current under pulse condition at room temperatureis 10mA,with light output higher than 0.7mw. It works at single- transverce and single-longetudinalmodes.The emission line width is no wider than 4A.(The measurement is limited by the instrument.

【关键词】 垂直腔面发射激光器； 量子讲结构； 分子束外延；
【Key words】 Vertical cavity surface emitting laser； Quantum well structure Mofecular beam epitaxy；
【基金】 863计划资助项目
  • 【文献出处】 高技术通讯 ,HIGH TECHNOLOGY LETTERS , 编辑部邮箱 ,1994年10期
  • 【分类号】TN248
  • 【被引频次】4
  • 【下载频次】74
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