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BF2+注入多晶硅栅的SIMS分析

SIMS ANALYSIS OF BF +2 IMPLANTED Si-GATE

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【作者】 刘家璐张廷庆张正选赵元富

【Author】 Liu Jialu Zhang Tingqing Zhang Zhengxuan(Microelectrionics Research Institute,Xidian University,Xi’an 710071)Zhao Yuanfu(Lishan Microelectronics Institute. Xi’an 710600)

【机构】 西安电子科技大学微电子所骊山微电子公司 西安 710071西安 710071西安 710600

【摘要】 文本采用SIMS技术,分析了BF2+注入多晶硅栅退火前后F原子在多晶硅和SiO2中的迁移特性。结果表明,80keV,2×1015和5×1015cm-2 BF2+注入多晶硅栅经过900℃,30min退火后,部分F原子已扩散到SiOa中。F在多晶硅和SiO2中的迁移行为呈现不规则的特性,这归因于损伤缺陷和键缺陷对F原子的富集作用。

【Abstract】 The migration of fluorine atoms in poly-silicon and SiO2 of BF+2 implanted Si-gate before and after annealing has been analyzed using SIMS. The results show that a part of fluorine atoms of BFf implanted Si-gate with an energy of 80keV and doses of 2 × 1015 and 5 × 1015cm-2 after annealing diffiuse into SiO2 region of this gate. Anomalous migration of fluorine atoms is observed in both poly-silicon and SiO2. This is due to the collection of fluorine atoms in the regions of residual damage and bond defects.

【关键词】 二氟化硼硅栅离子注入二次离子质谱仪
【Key words】 BF+2Si-gateIon implantationSIMS
【基金】 国家自然科学基金
  • 【分类号】TN305
  • 【被引频次】1
  • 【下载频次】71
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