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多孔硅场致发射特性研究
Characteristic Investigation of Field Emission from the Surface of Porous Silicon
【摘要】 目前真空微电子使用的场致发射电子源主要是在硅衬底上采用腐蚀法和生长法得到的场发射阵列。这种方法在制造上难度较大，也很复杂。本文介绍用阳极化的方法制造多孔硅场发射阵列，并通过实验测定，用此法制造的场发射尖端阵列的发射曲此，很好地符合Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ公式。
- 【文献出处】 电子器件 ,JOURNAL OF ELECTRON DEVICES , 编辑部邮箱 ,1994年03期
- 【分类号】TN305
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