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硅场致发射理论模型

Theoretical Model of Field Emission from Silicon

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【作者】 黄庆安； 向涛； 秦明； 张会珍；

【Author】 Huang Qingan;Xiang Tao;Qin Ming;Zhang Huizhen(Microelectronics Center ,Southeast University Nanjing 210096)

【机构】 东南大学微电子中心；

【摘要】 本文讨论影响硅场致发射的因素，以及建立硅场发射理论应考虑的问题。

【Abstract】 Various aspects of influence on field emission from silicon are discussed.Someproblems of developing the theory about field emission from silicon are considered.

【关键词】 场发射； 硅；
【Key words】 Field emission； silicon；
  • 【文献出处】 电子器件 ,JOURNAL OF ELECTRON DEVICES , 编辑部邮箱 ,1994年03期
  • 【分类号】O462.4
  • 【被引频次】4
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