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提高金属膜电阻器可靠性的途径
【摘要】 介绍了采用射频反应工艺制备的ＡｌＮ薄膜对金属膜电阻器性能的影响，通过功率老化、高温贮存试验和电阻温度系数的测量，结果表明在陶瓷基体上淀积ＡｌＮ薄膜可以提高金属膜电阻器的可靠性。
- 【文献出处】 电子元件与材料 ,ELECTRONIC COMPONENTS $ MATERIALS , 编辑部邮箱 ,1994年02期
- 【分类号】TM544.4
- 【被引频次】16
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【摘要】 介绍了采用射频反应工艺制备的ＡｌＮ薄膜对金属膜电阻器性能的影响，通过功率老化、高温贮存试验和电阻温度系数的测量，结果表明在陶瓷基体上淀积ＡｌＮ薄膜可以提高金属膜电阻器的可靠性。