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硅锗分子束外延层表面形貌的扫描隧道显微镜研究

Morphology Characterization of St-MBE Epilayer Studied by STM

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【Author】 $$$$Zhou Tiecheng; Cai Qun; Zhu Angru; Dong Shuzhong; Shing Chi;Yu Mingren; Zhang Xiangjiu and Wang Xun(State Key Lab. of Applied Surfact Physics, Fudan University,Shanghai 200433)Abstraet: This paper presents some results on the morphology of silicon mo

【机构】复旦大学应用表面物理国家重点实验室；

【摘要】本文用扫描隧道显微镜（ＳＴＭ）在大气环境中对硅分子束外延生长的一系列样品表面进行了形貌研究．在实空间观测到硅衬底上异质外延生长锗的初期表面形成锗岛，在检测外延生长层表面质量方面对反射式高能电子衍射（ＫＨＥＥＤ）和扫描隧道显微镜进行了比较．更多还原

【关键词】扫描隧道显微镜；分子束外延；高能电子衍射；异质外延；表面形貌；硅衬底；外延层；系列样品；红外探测器；缓冲层；

【基金】国家自然科学基金

【文献出处】半导体学报 ,CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS , 编辑部邮箱 ,1994年06期

【分类号】TN304.120
【被引频次】1
【下载频次】76

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