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水平磁场中 GaSb 单晶的生长

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【作者】 邓志杰； 郑安生； 武希康； 屠海令；

【机构】 北京有色金属研究总院； 北京有色金属研究总院 100088； 100088； 100088；

【摘要】 <正> GaSb 单晶是制备三、四元含锑化合物、Ⅲ-Ⅴ族合金及超晶格等材料的重要衬底材料。用 GaSb 单晶为衬底研制的 GaAs/GaSb 迭层太阳能电池转换效率超过30%,是目前转换效率最高的太阳能电池。在磁场下生长硅和Ⅲ-Ⅴ族化合物半

【关键词】 电池转换效率； 水平磁场； GaSb； 锑化合物； 单晶炉； 迭层； 超晶格； 均匀性； 衬底材料； 有效分凝系数；
【基金】 国家“863”高科技项目
  • 【文献出处】 稀有金属 ,Chinese Journal of Rare Metals , 编辑部邮箱 ,1993年06期
  • 【被引频次】2
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