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MOCVD法在GaAs衬底上生长Hg1-xCdxTe和过渡层研究

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【作者】 丁永庆； 彭瑞伍； 陈记安； 杨臣华； 陈美霓；

【机构】 中国科学院上海冶金研究所； 华北光电研究所； 华北光电研究所 200050； 200050；

【摘要】 用改进的 MOCVD 装置成功地在 GaAs 衬底上生长了 CdTe 过渡层,获得了适合于生长Hg1-x CdxTe（CMT）的 CdTe/GaAs 复合衬底材料。所得 CMT 的 x 值可在0.2～0.8之间变化,其电学性质与 CdTe 过渡层厚度有一定关系,其红外透过率大于70%。

【关键词】 MOCVD； 过渡层； GaAs衬底； Hg； x)Cd_xTe； CdTe； 红外透过率； 电学性质； 电学性能； 外延层；
  • 【文献出处】 稀有金属 ,Chinese Journal of Rare Metals , 编辑部邮箱 ,1993年02期
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