在SiC晶须表面化学气相沉积BN薄膜的研究

【摘要】 采用化学气相沉积（CVD）法在 SiC 晶须表面沉积 BN 薄膜。实验使用 NH₃-BCl₃-H₂ 混合气体,总压力为1.013×10⁵Pa,得出最佳沉积条件为1250℃、1h,气相组份流量分别为 D_NH3=0.06dm³/min、D_?Cl3=0.01dm³/min、D_?=0.02dm³/min。电子探针确定沉积层厚度约为10nm。结果表明,BN 沉积速度随温度及气相组份流量的提高而增大。在1000℃以下动力学控制占优势,表观活化能为150kJ/mol,1250°以上则扩散控制占优势,表观活化能为10kJ/mol。更多还原