节点文献

平面工艺硅探测器的温度性能研究

TEMPERATURE PROPERTIES STUDY OF THE PLANAR PROCESS Si DETECTOR

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具,请取消加速工具后下载。

【作者】 李大庆郭昭乔

【Author】 LI DAQING;GUO ZHAOQIAO China Institute of Atomic Energy, P. O. Box 275, Beijing, 102413

【机构】 中国原子能科学研究院中国原子能科学研究院 北京102413北京102413

【摘要】 平面工艺硅探测器有可能成为适合实际应用的X射线探测器。文章介绍了实验装置,系统地测量了-20℃到+50℃温度范围内探测器的温度性能,并对结果进行了初步的分析。

【Abstract】 The planar process Si detector is a kind of new type charged particles detector with fineproperties, it is possibly made X-ray detector suitable to the practical applications. In order to re-search into this possibility, detector temperature properties must be studied. In the paper experi-ment apparatus is introduced, temperature properties of the planar process Si detector are moresystematically measured, the temperature range is from -20℃ to +50℃. The results are pre-liminarily analyzed.

  • 【文献出处】 原子能科学技术 ,Atomic Energy Science and Technology , 编辑部邮箱 ,1993年06期
  • 【下载频次】50
节点文献中: 

本文链接的文献网络图示:

本文的引文网络