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金属氧化物半导体电子亲合势的确定

CALCULATING ELECTRON AFFINITY OF SOME METAL OXIDE-SEMICONDUCTORS

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【Author】 Hao Pizhu et al (Dept. of Electron. Eng.)

【机构】山东工业大学电子工程系；山东工业大学电子工程系；山东工业大学基础课教学部；

【摘要】 <正> 电子亲合势是半导体能带结构中的重要参数,对研究光电池、异质结、衬底或电极对样品的影响有重要意义,然而这个参数目前尚无法直接测定。近年来,我们以SiO₂和Al₂O₃为衬底研究了多种不同结构、不同厚度、不同组分的金属氧化物薄膜。在查找SiO₂和Al₂O₃的电子亲合势中,发现它们目前尚无确定的参数,而更多还原

【关键词】电子亲合势；氧化物薄膜；异质结；能带结构；化合物材料；经验法；费米能级；经验公式；金膜；计算法；

【文献出处】山东工业大学学报 , 编辑部邮箱 ,1993年01期

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