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Ni中空位的计算机模拟

Computer Simulation of Vacancies in Ni

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【作者】 高飞赖文生王天民

【Author】 Gao Fei;Lai Wensheng;Wang Tianmin(Department of Materials Scie(?)ce,Lanzhou U(?)iversity,Lanzhou,730000)

【机构】 兰州大学材料科学系兰州大学材料科学系 兰州730000兰州730000兰州730000

【摘要】 本文采用嵌入原子臭型的原子势,用分子动力学方法对纯 Ni 中单空位和双空位进行了计算机模拟实验.计算出单空位的形成能和迁移激活能分别为1.68eV 和1.14eV,双空位的结合能和迁移激活能分别为0.34eV 和0.64eV.发现单空位最近邻原子向着空位中心驰豫最近邻原子距离的0.324%,第二近邻原子背向空位中心驰豫0.381%,第三近邻原子向空位中心驰豫0.036%同时,详细分析了双空位近邻原子的位移场.本文所得的结果与实验数据符合相当好.

【Abstract】 In this paper,the molecular dynamics is used to simulate mono-vacancyand divacancy in Ni with the embedded atom method.Calculated formationenergy and migration energy of mono-vacancy are 1.68 eV and 1.14 eVrespectively,and binding energy and migration energy of divacancy are0.34 eV and 0.64 eV respectively.It is found that the nearest-neighboratoms of mono-vaeancy relax inwards by 0.324% of the distance betweennearest neighbor atoms,the second neighbor atoms relax 0.381% outwardsand the third neighbor atoms relex 0.036% inwards.Meanwhile,thedisplacement fields of the neighbor atoms of divacancy are analysed indetail.The results are found to be in excellent agreement with theexperimental measurements.

【关键词】 激化能计算机模拟空位
【Key words】 Nickelactivation energycomputer simulationvacancy
【基金】 国家自然科学基金
  • 【文献出处】 兰州大学学报 ,Journal of Lanzhou University , 编辑部邮箱 ,1993年01期
  • 【分类号】O483
  • 【被引频次】3
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