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用新方法测量Si-SiO2界面态电子俘获截面与温度及能量的关系
【摘要】 本文提出了一个利用载流子填充电容瞬态初始时间变化率,准确测量在绝缘体与半导体界面上的界面态俘获截面的方法,其中考虑了电荷势反馈效应对载流子填充过程的影响,并给出准确计算这种影响的简单方法.将这一方法用于测量n型硅MOS电容器中的Si-SiO2界面态.结果表明其电子俘获截面强烈地依赖于温度和能量.
【关键词】 载流子填充电容瞬态；
电荷势反馈效应；
Si-SiO2界面态；
俘获截面与温度及能量的关系；
【基金】 国家自然科学基金
- 【文献出处】 中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学) ,Science in China,Ser.A , 编辑部邮箱 ,1993年02期
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