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S波段振荡用大功率GaAs FET的设计和研制

Design and Development of S Band High Power GaAs FETs for Oscillator

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【作者】 华培忠； 王福臣； 翁瑞； 钟志新； 马跃； 梁波； 杨玉昌；

【Author】 Hua Peizhong, Wang Fuchen,Weng Rui,Zhong ZhixinMa Yue,Liang Bo,Yang Yuchang (Nanjing Electronic Devices Institute.210016)

【机构】 南京电子器件研究所； 南京电子器件研究所 210016； 210016； 210016；

【摘要】 本文叙述了S波段振荡用大功率GaAs FET的设计考虑、结构和制作,给出了器件性能。在3GHz下,器件振荡输出功率为3.34W,直流—射频转换效率为47.4％。

【Abstract】 The design,structure,fabrication and performances of S band high power GaAs FETs for oscillator are described in this paper. The device can deliver oscillation output power of 3. 34 W with efficiency of 47. 4% at 3 GHz.

【关键词】 砷化镓； 场效应晶体管； 微波振荡；
【Key words】 Gallium Arsenide； Field Effect Transistor； Microwave Oscillation；
  • 【文献出处】 固体电子学研究与进展 ,Research & Progress of Solid State Electronics , 编辑部邮箱 ,1993年02期
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