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GaAs/InP材料的外延技术研究
Studies on Epitaxial Technology of GaAs/InP Material
【摘要】 首次利用MOCVD-LPE混合外延技术在InP衬底上生长了GaAs材料,这种复合材料显示了优良的特性,(400)反射面的双晶X射线衍射回摆曲线半峰宽对4μm厚外延层可低至170弧秒,16K温度光致发光测量中获得了GaAs激子发光和8.4meV的近带边光谱半峰宽。
【Abstract】 GaAs on InP Substrate is grown by a hybrid epitaxy of MOCVD and LPE for the first time. The Composite material has many superior properties. The narrowest FWHM of the (400) reflection curve of the double crystal X-ray diffraction spectra is 170 are sec for a 4μm thick epitaxial layer. From 16K PL measurements, exciton emitting of GaAs and a FWHM of 8.4 meV of near-bank-edge are obtained.
【关键词】 混合外延；
异质外延；
GaAs；
InP；
双晶X射线衍射；
光致发光；
激子；
【Key words】 Hybrid epitaxy； Heteroepitaxy； GaAs； InP； Double crystal X-ray diffraction； Photoluminescence； Exciton；
【Key words】 Hybrid epitaxy； Heteroepitaxy； GaAs； InP； Double crystal X-ray diffraction； Photoluminescence； Exciton；
【基金】 国家自然科学基金
- 【文献出处】 高技术通讯 ,High Technology Letters , 编辑部邮箱 ,1993年05期
- 【分类号】TB33
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