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ULSI相移光刻技术

Phase Shifting Lithography for ULSI Applications

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【作者】 王阳元徐立武国英俞忠钰

【Author】 Wang Yangyuan,Xu Li,Wu Guoying (Instituteof Microelectronics,Peking University, Beijing100871)Yu Zhongyu (The Ministry of Machinery 4Electronic Industry of China, Beijing 10020)

【机构】 化京大学微电子学研究所机械电子工业部 北京 1000871北京 1000871北京 100820

【摘要】 相移掩模光刻技术,是近几年来为了开发超大规模集成电路(ULSI)而发展起来的一种新颖光刻技术。它应用了光学相移掩模方法,大大提高了现有光学光刻设备的分辨率水平。本文综述了相移光刻技术的发展及其在ULSI中的应用。

【Abstract】 Recently, phase shifting lithography, as a novel lithography process, has been developped (or ULSI applications. It utilizes optical phase shifting mask to improve resolution limit for an existing wafer stepper. This paper describes the development of phase shifting lithography and its applications in ULSI technology.

【关键词】 光学光刻相移相移掩模
【Key words】 Optical lithographyPhase shiftPhase shifting mask
  • 【文献出处】 电子学报 ,Acta Electronica Sinica , 编辑部邮箱 ,1993年02期
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