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绝缘层上硅膜-红外区熔再结晶过程中熔区的检测  
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【英文篇名】 Detection of Molten Zone During SOI-ZMR Process
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【作者】 张鹏飞; 田果成; 蔡林; 钱佩信;
【英文作者】 Zhang Pengfei Tian Guocheng Cai Lin Qian Peixin(Institute of Microelectronics (The Researcll Institute of Optical-Wave Qinghua University) Technology; North Traffic University);
【作者单位】 清华大学微电子所; 北方交通大学光波技术研究所;
【文献出处】 传感器技术 , Journal of Transducer Technology, 编辑部邮箱 1993年 06期  
期刊荣誉:中文核心期刊要目总览  ASPT来源刊  中国期刊方阵  CJFD收录刊
【中文关键词】 区熔再结晶; 测温计; 光纤;
【英文关键词】 Zone-Meldng-Recryslallization (ZMR) Pyrometer Optic-Fibre;
【摘要】 硅片上熔区温度的检测,是实现SOI(Silicon-on-Insulator)材料结构的区熔再结晶(ZMR)工艺的技术关键,也是技术难点之一.提供了一种适用于特定实验环境(高频、高压、高温)的具有特殊功能(高分辨率、易于瞄准)的光纤测温计,对于提高ZMR工艺的稳定性,可控性和良好的重复性具有重要意义.
【英文摘要】 The key problem in development of ZMR (Zone-Melting-Recrystallization) SOI (Silicon-on-Insulator) technology is detecting of the temperature of the molten zone on silicon wafer. A novel fibre pyrometer with advanced functions (high space resolution and easy aiming) has been proposed to suit the special experimental environment (high frequency, high voltage and high temperatureX which proves to be effective in enhancement of stability, controlling and reproducibility of ZMR technology.
【正文快照】 人们总是以芯片的集成度来衡量半导体生产工艺的水平,但集放反“,二.、,,境的,至少还要受到物理极限的限制因此人传感器技术1卯3年们从平面工艺想到了立体集成,或者称三维电路,而501工艺则是立体集成的基础。 现有的半导体工艺可以在硅单晶上外延一层单晶,也可以在绝缘层(如siq

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