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多晶硅薄膜内应力的SEM测定法

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【作者】 王云珍； 石艳泠； 万培明；

【机构】 华东师范大学电子科学技术系； 华东师范大学电子科学技术系；

【摘要】 <正>多晶硅膜内应力的存在影响传感器的性能.本文介绍了内应力的SEM测定法和减小应力的途径.1 多晶硅微结构多晶硅膜采用LPCVD方法淀积,淀积温度为650℃,低压约为133Pa,微结构如图1所示.改变多晶硅微结构的长、宽及膜的厚度,得到不同的微结构.供SEM观察用,具体尺寸见表1.

【关键词】 SEM； 多晶硅薄膜； 硅膜； 微结构； 淀积； LPCVD； 晶粒生长； 快速热退火； 成核现象； 氧化层厚度；
  • 【文献出处】 传感技术学报 ,Journal of Transcluction Technology , 编辑部邮箱 ,1993年03期
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