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多孔硅发强可见光的新物理模型

A New Physical Model for Strong Visible Luminescence of Porous Si

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【作者】 秦国刚; 贾勇强;

【Author】 Qin Guogang/Department of Physics, Peking University,Beijing 100871Jia Yongqiang/Department of Physics, Peking University,Beijing 100871

【机构】 北京大学物理系; 北京大学物理系 北京 100871; 北京 100871;

【摘要】 本文提出一个关于多孔硅发强可见光的物理模型:量子限制效应使多孔硅纳米硅粒中的电子-空穴对能量增高与电子-空穴对通过纳米硅粒以外的发光中心复合而发光。在用阳极氧化刚制备或用HF酸刚处理过的多孔硅中,硅-氢键特别是多硅烷可能是主导的发光中心,而在经过适当氧化处理后发光比较稳定的多孔硅中,发光中心可能是氧化层中的点缺陷或杂质。

【Abstract】 Having considered a lot of experimental results of visible luminescence from porous Siand rational points of view of previous physical models, we present a new model for thestrong luminescence of porous Si: Quantum confinement effect increases the energy of electron-holepairs inside nanoscale Si units, and electron-hole pairs recombine to emit lightthrough luminescence centers outside the nanoscale Si units. The new model can qualitativelyexplain many experiments of luminescence of porous Si.

【基金】 国家自然科学基金
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,1993年10期
  • 【被引频次】55
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