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多孔硅光致发光峰值能量随HF浓度变化的台阶行为

Photoluminescence Step-like Behaviour of Porous Silicon with HF Concetration

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【作者】 张树霖; 侯永田; 何国山; 申猛燕; 钱必东; 刁鹏; 蔡生民;

【Author】 Zhang Shulin/Department of Physics, Peking University, Beijing 100871Hou Yongtian/Department of Physics, Peking University, Beijing 100871He Kuok-San/Department of Physics, Peking University, Beijing 100871Shen Mengyan/Department of Physics, Peking University, Beijing 100871Qian Bidong/Department of Chemistry, Peking University, Beijing 100871Diao Peng/Department of Chemistry, Peking University, Beijing 100871Cai Shengmin/Department of Chemistry, Peking University, Beijing 100871

【机构】 北京大学物理系; 北京大学化学系; 北京大学化学系 北京 100871; 北京 100871; 北京 100871;

【摘要】 研究了在不同HF浓度下用电化学方法生成的非简并P型多孔硅的光致发光谱,发现多孔硅荧光谱的峰值能量随HF浓度的变化是“台阶”式的非连续跃变。我们用多孔硅量子线的限制效应并结合多孔硅的形成机制解释了这种“台阶”现象、分析表明,“台阶”现象反映了量子限制效应在多孔硅荧光和形成过程中必然存在的量子化行为。

【Abstract】 The photoluminescence spectra of porous silicon samples formed under various HF concentrationshave been studied. The variation of PL peak energies with the HF concetrationappears in a step-like behaviour. We used the quatura confinement effects in the forming processto interpret the observed step-like behaviour.The step behaviour reflects the quantumcharacteristic of confinement effects.

【基金】 国家自然科学资金
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,1993年02期
  • 【被引频次】1
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