节点文献

半绝缘砷化镓单晶的整锭热退火

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具，请取消加速工具后下载。

【作者】 谢自力； 陈宏毅； 陈小兵；

【机构】 南京电子器件研究所； 南京电子器件研究所 南京210016； 南京210016； 南京210016；

【摘要】 本文报道了整锭热退火对IEC-SI-GaAs单晶特性的影响.研究发现,在950℃温度和5小时条件下,对SI-GaAs单晶整锭热退火后,单晶的电阻率、迁移率、霍尔浓度、位错密度和电子陷阱El2浓度的分布均匀性有所改善,并且El2浓度和迁移率平均值经热退火后有所提高.

【关键词】 半绝缘砷化镓； 整锭热退火； 均匀性； 分布；
  • 【文献出处】 半导体技术 ,Semiconductor Technology , 编辑部邮箱 ,1993年04期
  • 【被引频次】2
  • 【下载频次】41
知网节下载
节点文献中： 

本文链接的文献网络图示:

本文的引文网络
二级参考文献(0)
参考文献(0)
共引文献(0)
节点文献
同被引文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)